捍衛氮化鎵專利技術！納微半導體正式提告

納微半導體(NVTS)於週一正式對外宣布，已向美國德州東區地方法院提起訴訟，控告日本晶片大廠瑞薩電子(RNECF)侵犯其專利權。這起訴訟主要針對半導體領域中備受矚目的氮化鎵（GaN）技術，凸顯出科技大廠在第三代半導體專利佈局上的激烈競爭。消息傳出後，納微半導體(NVTS)週一股價走勢疲軟，收盤下跌 5%。

高層強調技術領先地位與智慧財產權保護

針對此次訴訟，納微半導體(NVTS)總裁暨執行長 Chris Allexandre 強調，公司作為氮化鎵技術的早期創新者與產業領導者，已經成功掌握了高功率解決方案龐大且持續成長的市場商機。他指出，公司不僅是率先將氮化鎵技術推向規模化生產的先驅，更在氮化鎵與高壓碳化矽（SiC）的研發上投入大量資金。透過完善的智慧財產權佈局，公司積極保護專有創新技術，並重申尊重有效的智慧財產權，同時也期望競爭對手能遵循相同標準。

點名SuperGaN產品線涉嫌侵權

根據公司發布的聲明，這起專利侵權訴訟明確指出，瑞薩電子(RNECF)旗下主要的氮化鎵產品線，包含了其主打的 SuperGaN 功率半導體產品，已經侵犯了納微半導體(NVTS)所擁有的氮化鎵專利組合。訴狀中詳細列出了受侵害的特定專利項目，其中包括美國專利字號第 9,929,079 號、第 11,545,838 號、第 11,770,010 號以及第 11,862,996 號。透過法律途徑，納微半導體(NVTS)期望能有效制止侵權行為，維護自身的技術優勢與市場權益。

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